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Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N

Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N
Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N

Imagem Grande :  Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 2N60- TO-220F
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: negociação
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N

descrição
Nome do produto: Transistor nivelado da lógica Características: Poderoso
Número do modelo: 2N60- TO-220F tensão da Dreno-fonte: 600v
Tensão da Porta-Fonte: ± 30V Tipo: Interruptor do Mosfet do canal de N
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N
 
DESCRIÇÃO nivelada do transistor da lógica
 
O UTC 2N60-TC3 é um MOSFET de alta tensão do poder e é projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, baixa resistência do em-estado e ter características ásperas altas de uma avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor em fontes de alimentação, em controlos do motor de PWM, na C.C. eficiente alta aos conversores de C.C. e nos circuitos de ponte.
 
CARACTERÍSTICAS niveladas do transistor da lógica
 
* velocidade de interruptor alta do RDS < 7="">(SOBRE) *
 
SÍMBOLO nivelado do transistor da lógica
Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N 0
INFORMAÇÃO PEDINDO

Número pedindo

Pacote

Atribuição de Pin

Embalagem

Sem chumbo

O halogênio livra

1

2

3

2N60L-TF1-T

2N60G-TF1-T

TO-220F1

G

D

S

Tubo

2N60L-TF3-T

2N60G-TF3-T

TO-220F

G

D

S

Tubo

2N60L-TM3-T

2N60G-TM3-T

TO-251

G

D

S

Tubo


Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
 
Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N 1
MARCAÇÃO
Interruptor poderoso 2N60 TO-220F do Mosfet do canal do transistor do nível da lógica/N 2
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
 

PARÂMETRO

SÍMBOLO

AVALIAÇÕES

UNIDADE

Tensão da Dreno-fonte

VDSS

600

V

Tensão da Porta-fonte

VGSS

± 30

V

Drene a corrente

Contínuo

Identificação

2

A

Pulsado (nota 2)

IDM

4

A

Energia da avalancha

Escolha pulsado (nota 3)

EAS

84

mJ

Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4)

dv/dt

4,5

V/ns

Dissipação de poder

TO-220F/TO-220F1

Paládio

23

W

TO-251

44

W

Temperatura de junção

TJ

+150

°C

Temperatura de armazenamento

TSTG

-55 ~ +150

°C

Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.

  1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

  2. L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C

  3. ≤ 2.0A do ISD, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, começando TJ = 25°C

DADOS TÉRMICOS
 

PARÂMETRO

SÍMBOLO

AVALIAÇÕES

UNIDADE

Junção a ambiental

TO-220F/TO-220F1

θJA

62,5

°C/W

TO-251

100

°C/W

Junção ao caso

TO-220F/TO-220F1

θJC

5,5

°C/W

TO-251

2,87

°C/W

 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
 

PARÂMETRO

SÍMBOLO

CONDIÇÕES DE TESTE

MINUTO

TIPO

Max

UNIDADE

FORA DAS CARACTERÍSTICAS

Tensão de divisão da Dreno-fonte

BVDSS

VGS=0V, ID= 250μA

600

 

 

V

Corrente do escapamento da Dreno-fonte

IDSS

VDS=600V, VGS=0V

 

 

1

µA

Corrente do escapamento da Porta-fonte

Dianteiro

IGSS

VGS=30V, VDS=0V

 

 

100

nA

Reverso

VGS=-30V, VDS=0V

 

 

-100

nA

EM CARACTERÍSTICAS

Tensão do ponto inicial da porta

VGS (TH)

VDS=VGS, ID=250μA

2,0

 

4,0

V

Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte

RDS (SOBRE)

VGS=10V, ID=1.0A

 

 

7,0

CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS

Capacidade da entrada

CISS

 
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 megahertz

 

190

 

PF

Capacidade de saída

COSS

 

28

 

PF

Capacidade reversa de transferência

CRSS

 

2

 

PF

CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR

Carga total da porta (nota 1)

QG

VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (nota 1, 2)

 

7

 

nC

Carga de Gateource

QGS

 

2,9

 

nC

Carga do Porta-dreno

QGD

 

1,9

 

nC

Tempo de atraso de ligação (nota 1)

TD (SOBRE)

 
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (nota 1, 2)

 

4

 

ns

Tempo de elevação

tR

 

16

 

ns

Tempo de atraso da volta-fora

TD (FORA)

 

16

 

ns

Queda-tempo

tF

 

19

 

ns

AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS DO DIODO DO DRENO DA FONTE

Corrente contínua do Corpo-diodo máximo

É

 

 

 

2

A

O Corpo-diodo máximo pulsou corrente

ISMO

 

 

 

8

A

Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte (nota 1)

VSD

VGS=0V, IS=2.0A

 

 

1,4

V

Tempo de recuperação reversa (nota 1)

trr

VGS=0V, IS=2.0A,
dIF/dt=100A/µs (Note1)

 

232

 

ns

Carga reversa da recuperação

Qrr

 

1,1

 

µC

Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
   Essencialmente independente da temperatura de funcionamento.
 
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Contacto
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Pessoa de Contato: David

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