|
Detalhes do produto:
|
| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
|---|---|---|---|
| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 13P10D | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
||
O transistor de poder do Mosfet de 13P10D -100V para a gestão ESD do poder protestou
DESCRIÇÃO
O 13P10D usa tecnologia e projeto avançados da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) o baixo gat
carga de e. Pode ser usada em uma grande variedade de aplicações. É ESD protestado.
CARACTERÍSTICAS
VDS =-100V, IDENTIFICAÇÃO =-13A
RDS (SOBRE) <170m>
Tecnologia de processamento avançada da trincheira do projeto denso alto super da pilha segura e áspera
Celldesign high-density para a em-resistência ultra baixa
Aplicação
Conversores do interruptor de alimentação DC/DC
Marcação do pacote e informação pedindo
| Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
| 13P10D | TO-252 | 13P10D YYWW | 2500 |
Característica térmica
| Resistência térmica, Junção-à-caso (nota 2) | RθJc | 3,13 | ℃/W |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDS | -100 | V |
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±20 | V |
| Drene Atual-contínuo | Identificação | -13 | A |
| Drene Atual-contínuo (TC=100℃) | Identificação (100℃) | -9,2 | A |
| Corrente pulsada do dreno | IDM | -30 | A |
| Dissipação de poder máxima | Paládio | 40 | W |
| Derating o fator | 0,32 | W/℃ | |
| Única energia da avalancha do pulso (nota 5) | EAS | 110 | mJ |
| Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
