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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 12N60 | Tipo: | transistor do mosfet do canal de n |
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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Transistor do Mosfet do canal do OEM N, modo pequeno do realce do interruptor de alimentação do Mosfet
DESCRIÇÃO do transistor do Mosfet do canal de N
O UTC 12N60-C é um MOSFET de alta tensão do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor de fontes e de adaptadores de alimentação do interruptor.
CARACTERÍSTICAS do transistor do Mosfet do canal de N
* RDS(SOBRE)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha testada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
| Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNI T | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corrente do escapamento da fonte da porta | Dianteiro | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Reverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 megahertz |
1465 | PF | |||
| Capacidade de saída | COSS | 245 | PF | ||||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 57 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Carga total da porta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 144 | nC | |||
| Carga da Porta-fonte | QGS | 10 | nC | ||||
| Carga do Porta-dreno | QGD | 27 | nC | ||||
| Tempo de atraso de ligação (nota 1) | TD (SOBRE) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) |
81 | ns | |||
| Tempo de elevação de ligação | tR | 152 | ns | ||||
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (FORA) | 430 | ns | ||||
| Tempo de queda da volta-Fora | tF | 215 | ns | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS | |||||||
| O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente | MIMS | 12 | A | ||||
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O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira |
ISMO | 48 | A | ||||
| Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte | VSD | VGS=0 V, MIMS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Tempo de recuperação reversa | trr |
VGS=0 V, MIMS=6.0 A, dIF/dt=100 A/μs (nota 1) |
336 | ns | |||
| Carga reversa da recuperação | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Circunstância | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Fora das características | ||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V mimD=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corrente zero do dreno da tensão da porta | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Em características (nota 3) | ||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transcondutância dianteira | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Características dinâmicas (Note4) | ||||||
| Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Características do interruptor (nota 4) | ||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Tempo de elevação de ligação | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 35 | - | nS | |
| Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Carga total da porta | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
| Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente dianteira do diodo (nota 2) | MIMS | - | - | 9,6 | A | |
| Tempo de recuperação reversa | trr |
TJ = 25°C, SE =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Carga reversa da recuperação | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tempo de ligação dianteiro | tonelada | O tempo de ligação intrínseco é insignificante (a tara é dominada por LS+LD) | ||||
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
