Detalhes do produto:
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Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
Número do modelo: | 10N60 | ||
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
MOSFET do PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL
DESCRIÇÃO
O UTC 10N60K-MTQ é um MOSFET de alta tensão do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor de fontes e de adaptadores de alimentação do interruptor.
CARACTERÍSTICAS
RDS(SOBRE)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha testada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
10N60KL-TF3-T | 10N60KG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
10N60KL-TF1-T | 10N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
10N60KL-TF2-T | 10N60KG-TF2-T | TO-220F2 | G | D | S | Tubo |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
Tensão da Porta-fonte | VGSS | ±30 | V | |
Corrente contínua do dreno | MIMD | 10 | A | |
Corrente pulsada do dreno (nota 2) | IDM | 40 | A | |
Corrente da avalancha (nota 2) | IAR | 8,0 | A | |
Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 365 | mJ |
Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
Dissipação de poder |
TO-220 |
PD |
156 | W |
TO-220F1 | 50 | W | ||
TO-220F2 | 52 | W | ||
Temperatura de junção | TJ | +150 | °C | |
Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °C |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÃO | UNIDADE |
Junção a ambiental | θJA | 62,5 | °C/W |
Junção ao caso | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE | |
FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
Corrente do escapamento da fonte da porta | Dianteiro | IGSS | VGS = 30V, VDS = 0V | 100 | nA | ||
Reverso | VGS = -30V, VDS = 0V | -100 | nA | ||||
EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS = 10V, ID = 5.0A | 1,0 | Ω | |||
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
Capacidade da entrada | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megahertz | 1120 | PF | |||
Capacidade de saída | COSS | 120 | PF | ||||
Capacidade reversa de transferência | CRSS | 13 | PF | ||||
CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
Carga total da porta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 28 | nC | |||
Carga da Porta-fonte | QGS | 8 | nC | ||||
Carga do Porta-dreno | QGD | 6 | nC | ||||
Tempo de atraso de ligação (nota 1) | TD (SOBRE) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) |
80 | ns | |||
Tempo de elevação de ligação | tR | 89 | ns | ||||
Tempo de atraso da volta-Fora | TD (FORA) | 125 | ns | ||||
Tempo de queda da volta-Fora | tF | 64 | ns | ||||
CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS | |||||||
O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente | MIMS | 10 | A | ||||
O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira |
ISMO | 40 | A | ||||
Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte (nota 1) | VSD | VGS = 0 V, IS = 10 A | 1,4 | V |
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David