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o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Imagem Grande :  o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 10N60
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Aplicação: Gestão do poder
Matéria: RDS excelente (sobre) Transistor do Mosfet do poder: MOSFET do poder do modo do realce
Número do modelo: 10N60
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor de alta tensão

MOSFET do PODER de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL

 

DESCRIÇÃO

O UTC 10N60K-MTQ é um MOSFET de alta tensão do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor de fontes e de adaptadores de alimentação do interruptor.

 

o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet 0

 

 

CARACTERÍSTICAS

RDS(SOBRE)< 1=""> GS = 10 V, ID = 5,0 A

* capacidade rápida do interruptor

* energia da avalancha testada

* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta

 

 

 

 

o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet 1

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número pedindo Pacote Atribuição de Pin Embalagem
Sem chumbo O halogênio livra   1 2 3  
10N60KL-TF3-T 10N60KG-TF3-T TO-220F G D S Tubo
10N60KL-TF1-T 10N60KG-TF1-T TO-220F1 G D S Tubo
10N60KL-TF2-T 10N60KG-TF2-T TO-220F2 G D S Tubo

 

 

Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte

 

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AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)

PARÂMETRO SÍMBOLO AVALIAÇÕES UNIDADE
Tensão da Dreno-fonte VDSS 600 V
Tensão da Porta-fonte VGSS ±30 V
Corrente contínua do dreno MIMD 10 A
Corrente pulsada do dreno (nota 2) IDM 40 A
Corrente da avalancha (nota 2) IAR 8,0 A
Energia da avalancha Escolha pulsado (nota 3) EAS 365 mJ
Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) dv/dt 4,5 ns

 

Dissipação de poder

TO-220

 

PD

156 W
  TO-220F1   50 W
  TO-220F2   52 W
Temperatura de junção TJ +150 °C
Temperatura de armazenamento TSTG -55 ~ +150 °C

Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.

As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.

4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C

6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C

DADOS TÉRMICOS

PARÂMETRO SÍMBOLO AVALIAÇÃO UNIDADE
Junção a ambiental θJA 62,5 °C/W
Junção ao caso θJC 3,2 °C/W

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)

 

 

PARÂMETRO SÍMBOLO CONDIÇÕES DE TESTE MINUTO TIPO Max UNIDADE
FORA DAS CARACTERÍSTICAS
Tensão de divisão da Dreno-fonte BVDSS VGS = 0V, ID = 250μA 600     V
Corrente do escapamento da Dreno-fonte IDSS VDS = 600V, VGS = 0V     10 μA
Corrente do escapamento da fonte da porta Dianteiro IGSS VGS = 30V, VDS = 0V     100 nA
  Reverso   VGS = -30V, VDS = 0V     -100 nA
EM CARACTERÍSTICAS
Tensão do ponto inicial da porta VGS (TH) VDS = VGS, ID = 250μA 2,0   4,0 V
Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte RDS (SOBRE) VGS = 10V, ID = 5.0A     1,0
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS
Capacidade da entrada CISS VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megahertz   1120   PF
Capacidade de saída COSS     120   PF
Capacidade reversa de transferência CRSS     13   PF
CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR
Carga total da porta (nota 1) QG VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2)   28   nC
Carga da Porta-fonte QGS     8   nC
Carga do Porta-dreno QGD     6   nC
Tempo de atraso de ligação (nota 1) TD (SOBRE)

 

VDD =30V, ID =0.5A,

RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2)

  80   ns
Tempo de elevação de ligação tR     89   ns
Tempo de atraso da volta-Fora TD (FORA)     125   ns
Tempo de queda da volta-Fora tF     64   ns
CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS
O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente MIMS       10 A

O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte

Corrente dianteira

ISMO       40 A
Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte (nota 1) VSD VGS = 0 V, IS = 10 A     1,4 V


Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

 

o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet 4o interruptor alto do Mosfet da corrente de 10N60 K-MTQ/10A 600V Dual interruptor do Mosfet 5

 

 

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