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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 6N60 | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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MOSFET do PODER do N-CANAL de 6N60 Z 6.2A 600V
O UTC 6N60Z é um MOSFET de alta tensão do poder e é projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor em fontes e em adaptadores de alimentação do interruptor.
CARACTERÍSTICAS
RDS(SOBRE)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha testada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
| Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 6N60ZL-TF3-T | 6N60ZG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensão da Porta-fonte | VGSS | ±20 | V | |
| Corrente da avalancha (nota 2) | IAR | 6,2 | A | |
| Corrente contínua do dreno | MIMD | 6,2 | A | |
| Corrente pulsada do dreno (nota 2) | IDM | 24,8 | A | |
| Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 252 | mJ |
| Repetitivo (nota 2) | ORELHA | 13 | mJ | |
| Recuperação máxima dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
| Dissipação de poder | PD | 40 | W | |
| Temperatura de junção | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de funcionamento | TOPR | -55 ~ +150 | °C | |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÃO | UNIDADE |
| Junção a ambiental | θJA | 62,5 | °C/W |
| Junção ao caso | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
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Corrente do escapamento da Dreno-fonte |
IDSS |
VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C | 100 | μA | |||||
| Corrente do escapamento da fonte da porta | Dianteiro | IGSS | VGS = 20V, VDS = 0V | 10 | μA | ||
| Reverso | VGS = -20V, VDS = 0V | -10 | μA | ||||
| Coeficiente de temperatura da tensão de divisão | △BVDSS/△TJ | MimD=250μA, provido a 25°C | 0,53 | V/°C | |||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS = 10V, ID = 3.1A | 1,4 | 1,75 | Ω | ||
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megahertz | 770 | 1000 | PF | ||
| Capacidade de saída | COSS | 95 | 120 | PF | |||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 10 | 13 | PF | |||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (SOBRE) |
VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Tempo de elevação de ligação | tR | 95 | 110 | ns | |||
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (FORA) | 185 | 200 | ns | |||
| Tempo de queda da volta-Fora | tF | 110 | 125 | ns | |||
| Carga total da porta | QG | VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A mimG=100μA (nota 1, 2) | 32,8 | nC | |||
| Carga da Porta-fonte | QGS | 7,0 | nC | ||||
| Carga do Porta-dreno | QGD | 9,8 | nC | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS | |||||||
| Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte | VSD | VGS = 0 V, IS = 6,2 A | 1,4 | V | |||
| O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente | MIMS | 6,2 | A | ||||
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O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira |
ISMO | 24,8 | A | ||||
| Tempo de recuperação reversa | trr |
VGS = 0 V, IS = 6,2 A, dIF/dt = 100 A/μs (nota 1) |
290 | ns | |||
| Carga reversa da recuperação | QRR | 2,35 | μC | ||||
Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
