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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
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| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 5N60 | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
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MOSFET do PODER do N-CANAL de 5N60 K-TCQ 5A 600V
O UTC 5N60K-TCQ é um MOSFET de alta tensão do poder e é projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, baixa resistência do em-estado e ter características ásperas altas de uma avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor em fontes de alimentação, em controlos do motor de PWM, na C.C. eficiente alta aos conversores de C.C. e nos circuitos de ponte.
CARACTERÍSTICAS
RDS(SOBRE)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* capacidade rápida do interruptor
* energia da avalancha especificada
* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta
Aplicação
Interruptor da carga
Comutado duramente e a alta frequência circuita a fonte de alimentação ininterrupta
| Número pedindo | Pacote | Atribuição de Pin | Embalagem | |||
| Sem chumbo | O halogênio livra | 1 | 2 | 3 | ||
| 5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | Tubo |
| 5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | Carretel de fita |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÕES | UNIDADE | |
| Tensão da Dreno-fonte | VDSS | 600 | V | |
| Tensão da Porta-fonte | VGSS | ±30 | V | |
| Drene a corrente | Contínuo | MIMD | 5,0 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 20 | A | |
| Corrente da avalancha (nota 2) | IAR | 4,0 | A | |
| Energia da avalancha | Escolha pulsado (nota 3) | EAS | 80 | mJ |
| Repique a recuperação dv/dt do diodo (nota 4) | dv/dt | 3,25 | V/ns | |
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Dissipação de poder |
TO-220 |
PD |
106 | W |
| TO-220F1 | 36 | W | ||
| TO-252 | 50 | W | ||
| Temperatura de junção | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de armazenamento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | AVALIAÇÃO | UNIDADE | |
| Junção a ambiental | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-252 | 110 | °C/W | ||
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Junção ao caso |
TO-220 |
θJC |
1,18 | °C/W |
| TO-220F1 | 3,47 | °C/W | ||
| TO-252 | 2,5 | °C/W | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| PARÂMETRO | SÍMBOLO | CONDIÇÕES DE TESTE | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE | |
| FORA DAS CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corrente do escapamento da Dreno-fonte | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corrente do escapamento da Porta-fonte | Dianteiro | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Reverso | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
| EM CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=2.5A | 2,5 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS | |||||||
| Capacidade da entrada | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | PF | |||
| Capacidade de saída | COSS | 60 | PF | ||||
| Capacidade reversa de transferência | CRSS | 6,5 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR | |||||||
| Carga total da porta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V mimG=100μA (nota 1, 2) | 46 | nC | |||
| Porta à carga da fonte | QGS | 4,6 | nC | ||||
| Porta para drenar a carga | QGD | 6,0 | nC | ||||
| Tempo de atraso de ligação (nota 1) | TD (SOBRE) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (nota 1, 2) |
42 | ns | |||
| Tempo de elevação | tR | 44 | ns | ||||
| Tempo de atraso da volta-FORa | TD (FORA) | 120 | ns | ||||
| Queda-tempo | tF | 38 | ns | ||||
| AVALIAÇÕES E CARACTERÍSTICAS DO DIODO DO DRENO DA FONTE | |||||||
| Corrente contínua do Corpo-diodo máximo | MIMS | 5 | A | ||||
| O Corpo-diodo máximo pulsou corrente | ISMO | 20 | A | ||||
| Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte (nota 1) | VSD | MIMS=5.0A, VGS=0V | 1,4 | V | |||
| Tempo de recuperação reversa do diodo do corpo (nota 1) | trr |
MIMS=5.0A, VGS=0V, dIF/dt=100A/μs |
390 | nS | |||
| Carga da recuperação do reverso do diodo do corpo | Qrr | 1,6 | μC | ||||
Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
