|
Detalhes do produto:
|
| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | Aplicação: | Gestão do poder |
|---|---|---|---|
| Matéria: | RDS excelente (sobre) | Transistor do Mosfet do poder: | MOSFET do poder do modo do realce |
| Número do modelo: | 5N20DY | ||
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,transistor de alta tensão |
||
5N20D / MOSFET do modo do realce do N-canal de Y 200V
A trincheira avançada dos usos de AP50N20D
tecnologia para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta.
Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar um interruptor lateral alto deslocado nível, e para um anfitrião de outro
CARACTERÍSTICAS
VDS =200V, IDENTIFICAÇÃO =5A
RDS (SOBRE) <520m>
Aplicação
Interruptor da carga
Comutado duramente e a alta frequência circuita a fonte de alimentação ininterrupta
| Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TC = 25°С, salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDS | 200 | V |
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±20 | V |
| Drene Atual-contínuo | Identificação | 5 | A |
| Drene Atual-pulsado (nota 1) | IDM | 20 | A |
| Dissipação de poder máxima | Paládio | 30 | W |
| Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.
As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.
4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que começa TJ = 25°C
6. Mim ≤ 2.0A doSD, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSSde V, começando TJ = 25°C
| Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25°С, salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Circunstância | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| Fora das características | ||||||
| Tensão de divisão da Dreno-fonte | BVDSS | VGS=0V mimD=250μA | 200 | - | - | V |
| Corrente zero do dreno da tensão da porta | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corrente do escapamento do Porta-corpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Em características (nota 3) | ||||||
| Tensão do ponto inicial da porta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Resistência do Em-estado da Dreno-fonte | RDS (SOBRE) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Transcondutância dianteira | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Características dinâmicas (Note4) | ||||||
| Capacidade da entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Capacidade reversa de transferência | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Características do interruptor (nota 4) | ||||||
| Tempo de atraso de ligação | TD (sobre) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | nS |
| Tempo de elevação de ligação | tr | - | 12 | - | nS | |
| Tempo de atraso da volta-Fora | TD (fora) | - | 15 | - | nS | |
| Tempo de queda da volta-Fora | tf | - | 15 | - | nS | |
| Carga total da porta | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
| Carga da Porta-fonte | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
| Carga do Porta-dreno | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
| Características de diodo da Dreno-fonte | ||||||
| Tensão dianteira do diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Corrente dianteira do diodo (nota 2) | MIMS | - | - | 5 | A | |
Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
Pessoa de Contato: David
