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Casa Produtos retificador de ponte de schottky

Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky

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Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

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Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky

Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky

Imagem Grande : Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	MBR10150CT

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky

descrição

Transistor do Mosfet do poder:	TO-220-3L Plástico-encapsulam	Matéria:	Microplaqueta da barreira de Schottky
A média retificou a corrente de saída:	10A	Dissipação de poder:	2 W
Identificação do produto:	MBR10150CT	Tstg:	-55~+150
Realçar:	diodo de retificador da barreira de schottky , defina o diodo de schottky

O RETIFICADOR TO-220-3L da BARREIRA de MBR10150CT SCHOTTKY Plástico-encapsula diodos

CARACTERÍSTICA

Microplaqueta da barreira de Schottky
Perda de baixa potência, eficiência elevada
O anel de protetor morre construção para a proteção transiente
Capacidade de impulso alta
Capacidade atual alta e baixa queda de tensão dianteira
Para o uso na baixa tensão, em inversores de alta frequência, na roda livre, e nas aplicações da proteção da polaridade

MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)

Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky 0

ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)

Diodos encapsulados plástico do retificador de ponte TO-220-3L de MBR10150CT Schottky 1

Características típicas

etiqueta:

diodo de retificador da barreira de schottky,

retificador de ponte do diodo de schottky,

defina o diodo de schottky

Contacto

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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Retificador de ponte do diodo de MBR10150,200 Schottky, retificador de ponte do diodo

Transistor do Mosfet do poder: TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos
Tensão de obstrução da C.C.: 150/200v
A média retificou a corrente de saída: 10A
Dissipação de poder: 2 W

Eficiência elevada da perda de baixa potência do retificador de ponte de MBRB10100CT-B Schottky

Transistor do Mosfet do poder: TO-263-2L Plástico-encapsulam diodos
Tipo: retificador de ponte de schottky
Matéria: Perda de baixa potência, eficiência elevada
Tensão reversa do RMS: 70V

Diodo atual alto de MBR1070CT~100CT Schottky, retificador de ponte do silicone

Transistor do Mosfet do poder: TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos
Powerdissipation: 2w
IFSM: 150A
IO: 10A

A média do retificador de ponte de MBR1070CT Schottky retificou a corrente de saída 10 A

Transistor do Mosfet do poder: TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos
A média retificou a corrente de saída: 10 A
IFSM: 150A
IO: 10A

Capacidade de impulso alta do diodo de retificador da barreira de MBR3060CT/MBR3060FCT Schottky

Transistor do Mosfet do poder: TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos
Tipo: Microplaqueta da barreira de Schottky
Use: Inversores de alta frequência
Tensão reversa do RMS: 42V

sobre

transistor de poder do mosfet: Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V; Alta tensão VDS 40V VGS ±20v do transistor de poder ±20v do Mosfet HXY4616 VGS; MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

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