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Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência

Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência
Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência

Imagem Grande :  Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: BAV19W~BAV21W
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência

descrição
Tipo: INTERRUPTOR DIODESOD Matéria: Velocidade de interruptor rápida
Transistor do Mosfet do poder: Plástico-EncapsulateDiodes SOD-123 A temperatura de armazenamento: -55~+150℃
Identificação do produto: BAV19W~BAV21W Corrente máxima do pulso: 2A
Realçar:

transistor do interruptor de alimentação

,

transistor do mosfet do poder

BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123 SOD-123Plastic-EncapsulateDiodes


 

CARACTERÍSTICA
 
Baixa corrente reversa
Pacote de superfície da montagem serido idealmente para a inserção automática
Velocidade de interruptor rápida 
Para aplicações de uso geral do interruptor

Marcação 

 

Os cates do barindi da marcação o cátodo 

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando,

ifnone, dispositivo thenormal.

Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência 0

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

 Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência 1
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

 
Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência 2


 
 
 
Characterisitics típico  
 Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência 3Transistor de efeito de campo de BAV19W~BAV21W, transistor de alta frequência 4
 




 
 
 
 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERÊNCIAS 0,022 REFERÊNCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 



 
 
 
 

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