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O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

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Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

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O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

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O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

Imagem Grande :  O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: G40N10
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contato

O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet Temperatura de junção:: 150℃
Materiais: silício Número do modelo: HXY2312
Processo: Fita/bandeja/carretel Tipo: Transistor do Mosfet
Realçar:

transistor atual alto

,

motorista do mosfet que usa o transistor

O transistor de poder do Mosfet de G40N10 100V, transistor do canal de N jejua interruptor

 

Sumário do produto

 

O G40N10 usa tecnologia plana avançada para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V. Este dispositivo é apropriado para o uso como uma proteção da bateria ou na outra aplicação do interruptor.
 
 
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etiqueta:

interruptor do mosfet da lógica,

motorista do mosfet que usa o transistor,

transistor atual alto

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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sobre

transistor de poder do mosfet

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