Detalhes do produto:
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Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | VDS: | 30V |
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RDS (SOBRE) < 35mΩ: | (VGS = 4.5V) | Número do modelo: | HXY4466 |
RDS (SOBRE) < 23mΩ: | (VGS = 10V) | Tipo: | Transistor do Mosfet |
Realçar: | interruptor do mosfet da lógica,motorista do mosfet que usa o transistor |
Sumário do produto
VDS | 30V |
Mim = 10A | VGS = 10V) |
RDS (SOBRE) < 23m=""> | (VGS = 10V) |
RDS (SOBRE) < 35m=""> | (VGS = 4.5V) |
Descrição geral
A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4466 a
forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM
aplicações. As ligações da fonte são separadas para reservar
uma conexão de Kelvin à fonte, que pode ser
usado para contornear a indutância da fonte.
Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se
initialT =25°C.
D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>
F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com
2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.
G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Pessoa de Contato: David