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Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído

Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído
Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído

Imagem Grande :  Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: HXY4466
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet VDS: 30V
RDS (SOBRE) < 35mΩ: (VGS = 4.5V) Número do modelo: HXY4466
RDS (SOBRE) < 23mΩ: (VGS = 10V) Tipo: Transistor do Mosfet
Realçar:

interruptor do mosfet da lógica

,

motorista do mosfet que usa o transistor

60V N-canal AlphaSGT HXY4264
 

 

Sumário do produto

 

VDS 30V
Mim = 10A VGS = 10V)
RDS (SOBRE) < 23m=""> (VGS = 10V)
RDS (SOBRE) < 35m=""> (VGS = 4.5V)


 

Descrição geral

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4466 a

forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto

o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM

aplicações. As ligações da fonte são separadas para reservar

uma conexão de Kelvin à fonte, que pode ser

usado para contornear a indutância da fonte.

 

Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído 0

 

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

Canal VGS 10V do transistor de efeito de campo N do MOS de HXY4466 30V de baixo nível de ruído 1

 

 

 

A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

initialT =25°C.

D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>

F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com

2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.

G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

 

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Contacto
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