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Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

Imagem Grande :  Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: WSF3012
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

descrição
Tipo: transistor de poder do mosfet Temperatura de junção:: 150℃
RDSON: 50mΩ Número do modelo: WSF3012
Características: Baixa carga super da porta Uso: Ponto--carga de alta frequência síncrono
Realçar:

interruptor alto do mosfet da corrente

,

transistor de alta tensão

WSF3012 N-Ch e MOSFET do P-canal

 

Descrição

 

O WSF3012 é a trincheira N-ch do desempenho o mais alto
e MOSFET P-ch com densidade de pilha alta extrema,
qual forneça RDSON excelente e bloqueie a carga para
a maioria das aplicações síncronos do conversor do fanfarrão.
A reunião WSF3012 o RoHS e o produto verde
exigência 100% EAS garantido com função completa
confiança aprovada.

 

Produto veraniço

 

Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 0

 

 

Características
  • tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha de z
  • carga super da porta de z baixa
  • diminuição excelente do efeito de z CdV/dt
  • z 100% EAS garantido
  • dispositivo do verde de z disponível

 

 

Aplicações

 

Ponto--carga de alta frequência de z síncrono
  Conversor do fanfarrão para MB/NB/UMPC/VGA
sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC de z
inversor do luminoso de z CCFL

 

Avaliações máximas absolutas

 

Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 1

 

 

Dados térmicos
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 2
 
 
 
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 3
 
 
Características garantidas da avalancha
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 4
 
 
Características de diodo
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 5
 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 6
 
Características garantidas da avalancha
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 7
 
 
Características de diodo
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 8
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. Os dados de EAS mostram a avaliação máxima. A condição de teste é VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
5. O valor mínimo é garantia testada EAS de 100%.
6. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
Características típicas do N-canal
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 9Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 10
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
 
 
Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 11Mosfet do poder do interruptor do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON 12
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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