Casa Produtos transistor de poder do mosfet

8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa

Name: 8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 8H02ETS

Todos os Produtos

transistor de poder do mosfet
(118)

Transistor de poder da ponta
(30)

Transistor de poder do silicone
(19)

Diodo de interruptor duplo
(15)

Transistor de efeito de campo do MOS
(29)

Mosfet de duplo canal
(10)

diodo de retificador rápido da recuperação
(6)

diodo do zener do poder
(6)

retificador de ponte de schottky
(10)

diodo de retificador de alta tensão
(15)

Triode do semicondutor
(9)

Estabilizador IC da tensão
(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

Estou Chat Online Agora

8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa

Imagem Grande : 8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	8H02ETS

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa

descrição

Nome do produto:	transistor de poder do mosfet	VDSS:	6,0 A
Número do modelo:	8H02ETS	Aplicação:	Gestão do poder
Matéria:	Baixa carga da porta	Transistor do Mosfet do poder:	SOT-23-6L Plástico-encapsulam
Realçar:	interruptor alto do mosfet da corrente , transistor de alta tensão

MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel

DESCRIÇÃO

A tecnologia avançada da trincheira 8H02ETSuses a

forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e

operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.

CARACTERÍSTICAS GERAIS

VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A

8H02TS RDS (SOBRE) < 28m="">

RDS (SOBRE) < 26m="">

RDS (SOBRE) < 22m="">

RDS (SOBRE) < 20m="">

Avaliação do ESD: 2000V HBM

Aplicação

Proteção da bateria

Gestão do poder do interruptor da carga

8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa 0

Marcação do pacote e informação pedindo

Identificação do produto	Bloco	Marcação	Qty (PCS)
8H02ETS	TSSOP-8	8H02ETS WW YYYY	5000/3000

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)

Parâmetro	Símbolo	Limite	Unidade
Tensão da Dreno-fonte	VDS	20	V
Tensão da Porta-fonte	VGS	±12	V
Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1)	Identificação	7	V
Dissipação de poder máxima	Paládio	1,5	W
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento	TJ, TSTG	-55 a 150	℃
Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2)	RθJA	83	℃/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)

8H02ETS Dual carga da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de N baixa 1

NOTAS: 1. avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima. 2. superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t. 3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não sujeito aos testes de produção.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS