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8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N

8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N
8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N

Imagem Grande :  8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 8205A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N

descrição
Nome do produto: transistor de poder do mosfet VDSS: 6,0 A
Número do modelo: 8205A Aplicação: Gestão do poder
Matéria: Baixa carga da porta Transistor do Mosfet do poder: SOT-23-6L Plástico-encapsulam
Realçar:

transistor do mosfet do canal de n

,

interruptor alto do mosfet da corrente

8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o MOSFET duplo do N-canal dos MOSFETS

 

 

Descrição geral

 

 

VDSS= V ID= 6,0 A

z 20

G1

6

D1, D2

5

G2

4

  z  

RDS (sobre) <>

25m

GS

  z  

RDS (sobre) <>

32m

GS

1 2 3

S1

D1, D2 S2

 

 

 

 

CARACTERÍSTICA

 

MOSFET do poder de z TrenchFET

z R excelenteDS(sobre)

carga da porta de z baixa

poder superior de z e capacidade entregando atual

pacote da montagem da superfície de z

 

 

APLICAÇÃO

 

proteção da bateria de z

interruptor da carga de z

gestão do poder de z

 

 

Tipo mínimo unidade máxima da condição de teste do símbolo do parâmetro
CHARACTERICTISCS ESTÁTICO
tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS VGS = 0V, identificação =250µA 19 V
Dreno zero IDSS atual VDS =18V da tensão da porta, µA VGS = 0V 1
escapamento IGSS atual VGS =±10V do Porta-corpo, nA de VDS = de 0V ±100
Bloqueie a tensão do ponto inicial (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificação =250µA 0,5 0.9V
Envie o gFS VDS =5V do tranconductance (nota 3), identificação =4.5A 10 S
Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V

 

 

CHARACTERICTISCS DINÂMICO (note4)
Ciss da capacidade da entrada 800 PF
Capacidade de saída Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF
Capacidade reversa Crss 125 PF de transferência

 

 

INTERRUPTOR CHARACTERICTISCS (nota 4)
Tempo de atraso de ligação TD (sobre) 18 ns
Tempo de elevação de ligação tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns
Tempo de atraso TD da volta-fora (fora) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns
Tempo de queda tf da volta-fora 20 ns
Carga total Qg 11 nC da porta
Carga Qgs VDS =10V da Porta-fonte, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC
Carga Qgd 2,5 nC do Porta-dreno

 

 

Notas:

1. Avaliação repetitiva: Largura de Pluse limitada pela temperatura de junção máxima

2. Superfície montada FR4 na placa, segundo t≤10.

3. Teste do pulso: Pulso width≤300μs, dever cycle≤2%.

4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção.

 

 

 

8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N 0

8205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N 18205A Dual os MOSFETS 6,0 A VDSS do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de N 2

 

 

Dimensões do esboço do pacote de SOT-23-6L

 

 

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Contacto
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