Detalhes do produto:
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Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | VDSS: | 6,0 A |
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Número do modelo: | 8205A | Aplicação: | Gestão do poder |
Matéria: | Baixa carga da porta | Transistor do Mosfet do poder: | SOT-23-6L Plástico-encapsulam |
Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,interruptor alto do mosfet da corrente |
8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o MOSFET duplo do N-canal dos MOSFETS
Descrição geral
VDSS= V ID= 6,0 A z 20 |
G1 6 |
D1, D2 5 |
G2 4 |
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z |
RDS (sobre) <> 25m GS |
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z |
RDS (sobre) <> 32m GS |
1 2 3 S1 D1, D2 S2 |
CARACTERÍSTICA
MOSFET do poder de z TrenchFET
z R excelenteDS(sobre)
carga da porta de z baixa
poder superior de z e capacidade entregando atual
pacote da montagem da superfície de z
APLICAÇÃO
proteção da bateria de z
interruptor da carga de z
gestão do poder de z
Tipo mínimo unidade máxima da condição de teste do símbolo do parâmetro |
CHARACTERICTISCS ESTÁTICO |
tensão de divisão V da Dreno-fonte (BR) DSS VGS = 0V, identificação =250µA 19 V |
Dreno zero IDSS atual VDS =18V da tensão da porta, µA VGS = 0V 1 |
escapamento IGSS atual VGS =±10V do Porta-corpo, nA de VDS = de 0V ±100 |
Bloqueie a tensão do ponto inicial (nota 3) VGS (th) VDS =VGS, identificação =250µA 0,5 0.9V |
Envie o gFS VDS =5V do tranconductance (nota 3), identificação =4.5A 10 S |
Tensão dianteira do diodo (nota 3) VSD IS=1.25A, VGS = 0V 1,2 V |
CHARACTERICTISCS DINÂMICO (note4) |
Ciss da capacidade da entrada 800 PF |
Capacidade de saída Coss VDS =8V, VGS =0V, f =1MHz 155 PF |
Capacidade reversa Crss 125 PF de transferência |
INTERRUPTOR CHARACTERICTISCS (nota 4) |
Tempo de atraso de ligação TD (sobre) 18 ns |
Tempo de elevação de ligação tr VDD=10V, VGS=4V, 5 ns |
Tempo de atraso TD da volta-fora (fora) ID=1A, RGEN=10Ω 43 ns |
Tempo de queda tf da volta-fora 20 ns |
Carga total Qg 11 nC da porta |
Carga Qgs VDS =10V da Porta-fonte, VGS =4.5V, ID=4A 2,3 nC |
Carga Qgd 2,5 nC do Porta-dreno |
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de Pluse limitada pela temperatura de junção máxima
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo t≤10.
3. Teste do pulso: Pulso width≤300μs, dever cycle≤2%.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção.
Dimensões do esboço do pacote de SOT-23-6L
Pessoa de Contato: David