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Detalhes do produto:
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| Nome do produto: | transistor de poder do mosfet | VDS: | 20V |
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| Número do modelo: | HXY9926A | Processo: | Fita/bandeja/carretel |
| VGS: | ±1.2V | Corrente contínua do dreno: | 6.5A |
| Realçar: | transistor do mosfet do canal de n,interruptor alto do mosfet da corrente |
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HXY9926A 20V Dual MOSFET do N-canal
Descrição geral
A tecnologia avançada da trincheira dos usos de HXY9926A a
forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação
com as tensões da porta tão baixas quanto 1.8V ao reter um 12V
Avaliação de VGS (max). Este dispositivo é apropriado para o uso como um unidirecional
ou interruptor bidirecional da carga.
Sumário do produto
Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário
Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se
D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 são utilização obtida <300>
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS
Pessoa de Contato: David
