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Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn

Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn
Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn

Imagem Grande :  Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 3DD13005
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Eficiência elevada da tensão baixa 9V do emissor do interruptor do transistor de 3DD13005 Npn

descrição
Tensão da Coletor-Base: 700V Temperatura de junção: ℃ 150
tensão da Emissor-base: 9V Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
Dissipação do coletor: 1.25W Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-263-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13005 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 700 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação do coletor 1,25 W
TJ, Tstg Temperatura da junção e de armazenamento -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V Ic= 10 miliampères, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 700V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) IC=1A, IB= 250 miliampères     0,6 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tensão do emissor de base VBE IE= 2A     3 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megahertz

Tempo de queda tf MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Grau              
Escala 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICAÇÃO dos tS

 

Grau A1 A2 B1 B2
Escala 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 0,000 0,150 0,000 0,006
B 1,120 1,420 0,044 0,056
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
e 2,540 TIPO. 0,100 TIPOS.
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
L 14,940 15,500 0,588 0,610
L1 4,950 5,450 0,195 0,215
L2 2,340 2,740 0,092 0,108
Φ
V 5,600 REFERÊNCIA. 0,220 REFERÊNCIAS.

 

 

 

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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