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Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip

Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip
Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip

Imagem Grande :  Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 3DD13002
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip

descrição
A temperatura de armazenamento: -55~150℃ TJ: ℃ 150
Dissipação de poder do coletor: 1.25W Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
Corrente de coletor: 3.5A Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-251-3L/TO-252-2L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13002 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Coletor - tensão baixa 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 100μA, ISTO É =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V

 

Corrente de interrupção de coletor

ICBO VCB= 600V, ISTO É =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, ISTO É =0     100 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VSEJA (sentado) MimC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megahertz

Tempo de queda tf MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento ts       2,5 µs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Escala 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Características típicas

 

 Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip 0Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip 1Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip 2Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip 3
 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TIPO. 0,091 TIPOS.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

Transistor NPN dos transistor de poder 3DD13002 de TO-252Tip 4

 

 

Contacto
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