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Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN
Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Imagem Grande :  Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 3DD13003
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

descrição
Tensão da Coletor-Base: 700V Tensão do Coletor-Emissor: 400V
Corrente de coletor - contínua: 1.5A Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
Dissipação de poder do coletor: 2w Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13003 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

· aplicações do interruptor do poder

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 700 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro

Símbolo

Ymbol de S

Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC =5MA, ISTO É =0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=10mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =2MA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=700V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=400V, IB=0     0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=9V, IC=0     1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE=5V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE2 VCE=5V, IC= 1.5A 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=1A, IB=0.25A     0,6 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=1A, IB=0.25A     1,2 V
Frequência da transição fT VCE=10V, Ic=100mA, f =1MHz 5     Megahertz
Tempo de queda tf MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento tS MimC=250mA (UI9600) 2   4 μs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Escala 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

CLASSIFICAÇÃO dos tS

 

Grau A1 A2 B1 B2
Escala 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs 

 
 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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