Casa ProdutosTransistor de poder da ponta

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

Estou Chat Online Agora

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B
Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Imagem Grande :  Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 3DD13003B
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

descrição
Tensão da Coletor-Base: 700V Tensão do Coletor-Emissor: 400V
tensão da Emissor-base: 9V Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
TJ: 150℃ Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor da série da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13001B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

código 13003B=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

XXX=Code

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B 0

 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
3DD13003B TO-92 Volume 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
V CBO Tensão da Coletor-base 700 V
V CEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
V EBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,9 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 1mA, ISTO É =0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 10mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 700V, ISTO É =0     100 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 400V, IB=0     50 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 7V, IC=0     10 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 10V, IC= 0,4 A 20   40  

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 MimC=1.5A, IB= 0.5A     3 V
  VCE (sentado) 2 MimC=0.5A, IB= 0.1A     0,8 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=0.5A, IB=0.1A     1 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz 4     Megahertz
Tempo de queda tf MIMC=1A     0,7 µs
Tempo de armazenamento ts MIMB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau        
Escala 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B 1Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B 2Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B 3Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B 4

 

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

 

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

Deixe um recado

Ligaremos para você em breve!