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Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

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Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

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Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN
Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

Imagem Grande :  Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: D882M
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contato

Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

descrição
Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base: 40V Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: 6v Transistor do Mosfet do poder: TO-252-2L Plástico-encapsulam
Tipo: tipo do triode do semicondutor Uso: Componentes eletrônicos
Realçar:

transistor da série da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-252-2L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882M (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Dissipação de poder

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150 ℃
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150 ℃

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100μA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40 V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

  

 

90

  

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN 0Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN 1Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN 2Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN 3
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERÊNCIA. 0,190 REFERÊNCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

etiqueta:

transistor do pnp do poder superior,

transistor da série da ponta,

transistor do pnp da ponta

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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