Casa ProdutosTransistor de poder da ponta

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Certificado
de boa qualidade Transistor de poder da ponta para vendas
de boa qualidade Transistor de poder da ponta para vendas
Revisões do cliente
nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

Estou Chat Online Agora

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

China Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V fornecedor

Imagem Grande :  Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: B772M

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
Contact Now
Descrição de produto detalhada
VCBO: -40v VCEO: -30V
A temperatura de armazenamento: -55-150℃ Transistor do Mosfet do poder: TO-251-3L Plástico-encapsulam
Materiais: silício Tipo: Transistor do Triode

TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772M (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICAS

 

Interruptor de baixa velocidade

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -30 V
VEBO Tensão da Emissor-base -6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua -3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
RӨJA Resistência térmica, junção a ambiental 100 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=-100μA, ISTO É =0 -40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MIMC= -10MA, IB=0 -30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= -40V, ISTO É =0     -1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frequência da transição

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30VMaterial do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30VMaterial do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30VMaterial do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

 

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERÊNCIA. 0,190 REFERÊNCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

 

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

Material do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30VMaterial do silicone dos transistor de poder B772M da ponta de TO-251-3L PNP VCEO -30V

 

 


 
 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)