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plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de 1.25W NPN D882 - transistor encapsulados

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: D882
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de 1.25W NPN D882 - transistor encapsulados

descrição
PC: 1.25W Temperatura de junção: ℃ 150
A temperatura de armazenamento: -55-150℃ Transistor do Mosfet do poder: TO-251-3L Plástico-encapsulam
Materiais: silício Tipo: Transistor do Triode
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Dissipação de poder

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100μA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40 V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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