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Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 
Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

Imagem Grande :  Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: D965
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

descrição
VCBO: 42V VCEO: 22v
VEBO: 6v Nome do produto: tipo do triode do semicondutor
Dissipação de poder do coletor: 750mW TJ: 150Š
Realçar:

transistor da série da ponta

,

transistor do pnp do poder superior

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D965 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio de Ÿ

Unidade do flash de Ÿ de câmera

Circuito do interruptor de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

 

Código de D965=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando,

se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE, XXX=Code

 

Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN  0

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
D965 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Medidor de Para Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 42 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 22 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 5 A
PD Dissipação de poder do coletor 750 mW
R0 JA O Thermal resiste a junção da ROM do ance f a ambiental 166,7 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura do orage do St -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste MINUTO TIPO Max UNIDADE
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=0.1mA, ISTO É =0 42     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 22     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 10µA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=30V, ISTO É =0     0,1 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=6V, IC=0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=2V, IC= 0,15 miliampères 150      
hFE (2) VCE= 2V, IC = 500 miliampères 340   2000  
hFE (3) VCE=2V, IC = 2A 150      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=3000mA, IB=100 miliampère     0,35 V
Frequência da transição fT VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz   150   Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R T V
Escala 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Características típicas

 

Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN  1Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN  2Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN  3Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN  4

 
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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