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Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

Name: Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: D882S

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Estabilizador IC da tensão
(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

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Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

Imagem Grande : Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	D882S

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

descrição

VCBO:	40V	VCEO:	30V
VEBO:	6v	Nome do produto:	tipo do triode do semicondutor do silicone
IC:	3A	Transistor do Mosfet do poder:	TO-92 Plástico-encapsulam
Realçar:	transistor do pnp da ponta , transistor do pnp do poder superior

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882S (NPN)

CARACTERÍSTICA

Dissipação de poder

MARCAÇÃO

Código de D882=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE, XXX=Code

Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN 0

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça	Pacote	Método da embalagem	Quantidade do bloco
D882S	TO-92	Volume	1000pcs/Bag
D882S-TA	TO-92	Fita	2000pcs/Box

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (T_um =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Medidor de Para	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	40	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	30	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	6	V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	3	A
P_D	Dissipação de poder do coletor	625	mW
R0 JA	O Thermal resiste a junção da ROM do ance f a ambiental	200	Š/W
T_j	Temperatura de junção	150	Š
Tstg	Temperatura do orage do St	-55 ~+150	Š

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	MIM_C = 100µA, ISTO É =0	40			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C = 10mA, I_B=0	30			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 100µA, I_C=0	6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB= 40V, ISTO É =0			1	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEO	V_CE= 30V, I_B=0			10	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB= 6V, I_C=0			1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE	V_CE=2V, I_C= 1A	60		400
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	Mim_C= 2A, I_B= 0,2 A			0,5	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	Mim_C= 2A, I_B= 0,2 A			1,5	V
Frequência da transição	f_T	V_CE= 5V, Ic=0.1A f =10MHz	50	80		Megahertz

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

Grau	R	O	Y	GR
Escala	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Transistor encapsulados plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN 1

Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

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