Casa Produtos Transistor de poder da ponta

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Name: Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: C945

Todos os Produtos

transistor de poder do mosfet
(118)

Transistor de poder da ponta
(30)

Transistor de poder do silicone
(19)

Diodo de interruptor duplo
(15)

Transistor de efeito de campo do MOS
(29)

Mosfet de duplo canal
(10)

diodo de retificador rápido da recuperação
(6)

diodo do zener do poder
(6)

retificador de ponte de schottky
(10)

diodo de retificador de alta tensão
(15)

Triode do semicondutor
(9)

Estabilizador IC da tensão
(14)

Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

Sob a recomendação de meu amigo, nós sabemos sobre Hua Xuan Yang, um perito superior no semicondutor e na indústria dos componentes eletrônicos, que nos permitiu de reduzir nosso tempo precioso e não tem que arriscar a tentativa outras fábricas.

—— -- Виктор de Rússia

Estou Chat Online Agora

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Imagem Grande : Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	C945

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

descrição

VCBO:	60V	VCEO:	50V
VEBO:	5V	Nome do produto:	tipo do triode do semicondutor do silicone
TJ:	150℃	Processo:	Fita/bandeja/carretel
Realçar:	transistor do pnp da ponta , transistor do pnp do poder superior

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor C945 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Linearidades excelentes do hFE de Ÿ

Ÿ de baixo nível de ruído

Ÿ complementar a A733

MARCAÇÃO

Código de C945=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE

XXX=Code

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído 0

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça	Pacote	Método da embalagem	Quantidade do bloco
C945	TO-92	Volume	1000pcs/Bag
C945-TA	TO-92	Fita	2000pcs/Box

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (T_um =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	60	V
V CEO	Tensão do Coletor-emissor	50	V
V EBO	Tensão da Emissor-base	5	V
MIM _C	Corrente de coletor - contínua	150	miliampère
P_C	Dissipação de poder do coletor	400	mW
T_J	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura do orage do St	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=1mA, ISTO É =0	60			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C=100μA, I_B=0	50			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É =100 μA, I_C=0	5			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB=60V, ISTO É =0			0,1	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEO	VCE=45V, IB=0			0,1	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE (1)	V_CE=6V, I_C=1mA	70		700
	hFE (2)	V_CE=6V, I_C=0.1mA	40
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	Mim_C=100mA, I_B=10mA			0,3	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	Mim_C=100mA, I_B=10mA			1	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=6V, I_C=10mA, f=30MHz	200			Megahertz
Capacidade de saída do coletor	Espiga	V_CB=10V, ISTO É =0, f=1MHz			3,0	PF
Figura de ruído	N-F	VCE=6V, IC=0.1mA RG=10kΩ, f=1MHz			10	DB

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

Grau	O	Y	GR	BL
Escala	70-140	120-240	200-400	350-700

Características típicas

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído 1

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído 2

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído 3

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído 4

Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

etiqueta:

Pessoa de Contato: David

Outros Produtos

Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base: 40V
Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: -6V
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Dissipação de poder do coletor: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Tipo: Transistor do Triode
Materiais: silício
Transistor do Mosfet do poder: TO-126 Plástico-encapsulam
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor

Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base: 40V
Tensão do Coletor-Emissor: 30V
tensão da Emissor-base: 6v
Transistor do Mosfet do poder: TO-126 Plástico-encapsulam

Plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de A733 PNP - encapsular transistor

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor do silicone

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

transistor de poder do mosfet

Transistor de poder da ponta

Transistor de poder do silicone

Diodo de interruptor duplo

Transistor de efeito de campo do MOS

Mosfet de duplo canal

diodo de retificador rápido da recuperação

diodo do zener do poder

retificador de ponte de schottky

diodo de retificador de alta tensão

Triode do semicondutor

Estabilizador IC da tensão

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

transistor do pnp da ponta

transistor do pnp do poder superior

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

transistor do pnp do poder superior,

transistor da série da ponta,

transistor do pnp da ponta

Interruptor B772 de baixa velocidade encapsulado plástico dos transistor de poder TO-251-3L da ponta de PNP

B772 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

Plástico dos transistor de poder TO-92 da ponta de A733 PNP - encapsular transistor

transistor de poder do mosfet

Transistor do nível da lógica HXY4616, MOSFET complementar de alta tensão do transistor 30V

Alta tensão VDS 40V VGS ±20v do transistor de poder ±20v do Mosfet HXY4616 VGS

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

transistor do pnp da ponta

transistor do pnp do poder superior

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

transistor do pnp do poder superior,

transistor da série da ponta,

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎