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2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos

2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos
2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos

Imagem Grande :  2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 2N5401
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos

descrição
VCBO: -160V VCEO: -150V
VEBO: -5V Uso: Componentes eletrônicos
TJ: 150Š Processo: Fita/bandeja/carretel
Realçar:

transistor de alta frequência

,

transistor do interruptor de alimentação

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N5401 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Interruptor e amplificação de Ÿ na alta tensão

Aplicações de Ÿ tais como a telefonia

De Ÿ corrente baixo

Alta tensão de Ÿ

 

 

2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos 0

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
2N5401 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -160 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -150 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
MIMC Corrente de coletor -0,6 A
PC Dissipação de poder do coletor 625 mW
R0 JA Resistência térmica da junção a ambiental 200 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC= -0.1MA, ISTO É =0 -160     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=-1mA, IB=0 -150     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =-0.01MA, IC=0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-120V, ISTO É =0     -50 nA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-3V, IC=0     -50 nA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=-5V, IC=-1mA 80      
hFE (2) VCE=-5V, IC=-10mA 100   300  
hFE (3) VCE=-5V, IC=-50mA 50      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=-50mA, IB=-5mA     -0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=-50mA, IB=-5mA     -1 V
Frequência da transição fT VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz 100   300 Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

GRAU A B C
ESCALA 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 


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2N5401 transistor VCBO -160V do poder superior PNP para componentes eletrônicos 2

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

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