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circuito do transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para a fonte de alimentação móvel

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Revisões do cliente
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Imagem Grande :  circuito do transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para a fonte de alimentação móvel

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 2N3906
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

circuito do transistor de 2N3906 NPN, transistor de poder de NPN para a fonte de alimentação móvel

descrição
Nome do produto: tipo do triode do semicondutor Aplicação: a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor
Materiais: silício tensão da Emissor-base: 6v
Processo: Fita/bandeja/carretel
Realçar:

transistor do pnp da ponta

,

transistor da série da ponta

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3906 (NPN).

 

 

 

CARACTERÍSTICA

Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ PNP para a comutação e as aplicações do amplificador

Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3904 de NPN é recomendado

Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designação MMBT3906

 

 

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AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25ć salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -40 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
MIMC Coletor Atual-contínuo -0,2 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,625 W
TJ Temperatura de junção 150 ć
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150 ć

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = -10ΜA, ISTO É =0 -40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MIMC =-1MA, IB=0 -40     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -10ΜA, IC=0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= -40 V, ISTO É =0     -0,1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEX VCE= -30 V, VEB(fora) =-3V     -50 nA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE=-1 V, MIMC= -10MA 100   400  
  hFE2 VCE=-1 V, MIMC= -50MA 60      
  hFE3 VCE=-2 V, MIMC= -100MA 30      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC= -50MA, IB= -5MA     -0,4 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC= -50MA, IB= -5MA     -0,95 V
Frequência da transição fT

VCE=-20V, IC= -10MA

f = 100MHz

250     Megahertz
Tempo de atraso TD

VCC=-3V, VBE=-0.5V,

MimC=-10mA, IB1=-1mA

    35 ns
Tempo de elevação tr       35 ns
Tempo de armazenamento ts

VCC=-3V, Ic=-10mA

MimB1=IB2=-1mA

    225 ns
Tempo de queda tf       75 ns

 

 

 


Características típicas

 

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada
 
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Disposição sugerida TO-92 da almofada
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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