Detalhes do produto:
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Nome do produto: | tipo do triode do semicondutor | Aplicação: | a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor |
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Materiais: | silício | tensão da Emissor-base: | 6v |
Processo: | Fita/bandeja/carretel | ||
Realçar: | transistor do pnp da ponta,transistor da série da ponta |
SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3906 (NPN).
Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ PNP para a comutação e as aplicações do amplificador
Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3904 de NPN é recomendado
Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designação MMBT3906
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25ć salvo disposição em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
VCBO | Tensão da Coletor-base | -40 | V |
VCEO | Tensão do Coletor-emissor | -40 | V |
VEBO | Tensão da Emissor-base | -5 | V |
MIMC | Coletor Atual-contínuo | -0,2 | A |
PC | Dissipação de poder do coletor | 0,625 | W |
TJ | Temperatura de junção | 150 | ć |
Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~150 | ć |
Ta =25 Š salvo disposição em contrário
Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC = -10ΜA, ISTO É =0 | -40 | V | ||
tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MIMC =-1MA, IB=0 | -40 | V | ||
tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = -10ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB= -40 V, ISTO É =0 | -0,1 | µA | ||
Corrente de interrupção de coletor | ICEX | VCE= -30 V, VEB(fora) =-3V | -50 | nA | ||
Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB= -5 V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
Ganho atual de C.C. |
hFE1 | VCE=-1 V, MIMC= -10MA | 100 | 400 | ||
hFE2 | VCE=-1 V, MIMC= -50MA | 60 | ||||
hFE3 | VCE=-2 V, MIMC= -100MA | 30 | ||||
tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MIMC= -50MA, IB= -5MA | -0,4 | V | ||
Tensão de saturação do emissor de base | VBE (sentado) | MIMC= -50MA, IB= -5MA | -0,95 | V | ||
Frequência da transição | fT |
VCE=-20V, IC= -10MA f = 100MHz |
250 | Megahertz | ||
Tempo de atraso | TD |
VCC=-3V, VBE=-0.5V, MimC=-10mA, IB1=-1mA |
35 | ns | ||
Tempo de elevação | tr | 35 | ns | |||
Tempo de armazenamento | ts |
VCC=-3V, Ic=-10mA MimB1=IB2=-1mA |
225 | ns | ||
Tempo de queda | tf | 75 | ns |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
A | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
D1 | 3,430 | 0,135 | ||
E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
0 | 1,600 | 0,063 | ||
h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada
Disposição sugerida TO-92 da almofada
Pessoa de Contato: David