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Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa

Name: Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: B772

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Certificado

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações

Revisões do cliente

nós cooperação com o Hua Xuan Yang somos pela maior parte devido a seu profissionalismo, sua resposta afiada à personalização dos produtos que nós precisamos, o pagamento de todas nossas necessidades e, sobretudo, provision de serviços de qualidade.

—— -- Jason de Canadá

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Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa

Imagem Grande : Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Shenzhen China
Marca:	Hua Xuan Yang
Certificação:	RoHS、SGS
Número do modelo:	B772

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1000-2000 PCes
Preço:	Negotiated
Detalhes da embalagem:	Encaixotado
Tempo de entrega:	1 - 2 semanas
Termos de pagamento:	L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte:	18,000,000PCS/pelo dia

Contato

Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa

descrição

Dissipação de poder:	1.5W	Características:	Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
Dissipação do coletor:	1.25W	Uso:	Componentes eletrônicos
Tensão da Coletor-Base:	40V	Processo:	Fita/bandeja/carretel
Realçar:	transistor do pnp da ponta , transistor da série da ponta

SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Interruptor de baixa velocidade

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	-40	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	-30	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	-6	V
MIM_C	Corrente de coletor - contínua	-3	A
P_C	Dissipação do coletor	1,25	W
RӨJA	Resistência térmica da junção a ambiental	100	℃/W
T_J	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55~+150	℃

AVALIAÇÕES de AXIMUM (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Ic=-100μA, ISTO É =0	-40			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C=-10mA, I_B=0	-30			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É =-100 μA, I_C=0	-6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB=-40 V, ISTO É =0			-1	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEO	V_CE=-30 V I_B=0			-10	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=-6V, I_C=0			-1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE (1)	V_CE=-2V, I_C=-1A	60		400
	hFE (2)	V_CE=-2V, I_C=-100mA	32
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	MIM_C=-2A, I_B=-0.2A			-0,5	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	MIM_C=-2A, I_B=-0.2A			-1,5	V
Frequência da transição	fT	V_CE=-5V, I_C=-0.1A f=10MHz	50			Megahertz

CLASSIFICAÇÃO do hFE (1)

Grau	R	O	Y	GR
Escala	60-120	100-200	160-320	200-400

Características típicas

Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa 0

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Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Mínimo.	Máximo.	Mínimo.	Máximo.
A	--	1,800	--	0,071
A1	0,020	0,100	0,001	0,004
A2	1,500	1,700	0,059	0,067
b	0,660	0,840	0,026	0,033
b1	2,900	3,100	0,114	0,122
c	0,230	0,350	0,009	0,014
D	6,300	6,700	0,248	0,264
E	6,700	7,300	0,264	0,287
E1	3,300	3,700	0,130	0,146
e	2,300 (BSC)		0,091 (BSC)
L	0,750	--	0,030	--
θ	0°	10°	0°	10°

Tensão de saturação do emissor do coletor dos transistor de poder da ponta de SOT-89-3L B772 baixa 4

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etiqueta:

Pessoa de Contato: David

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