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Detalhes do produto:
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| Tensão da Coletor-Base: | -310V | Tipo: | Transistor do Triode |
|---|---|---|---|
| Processo: | Fita/bandeja/carretel | Materiais: | silício |
| Corrente de coletor: | -200 miliampère | Dissipação de poder do coletor: | 500mW |
| Realçar: | transistor de alta frequência,transistor do interruptor de alimentação |
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A92 (NPN)
Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
Alta tensão da divisão
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | -310 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | -305 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | -5 | V |
| MIMC | Corrente de coletor contínua | -200 | miliampère |
| ICM | Corrente de coletor - pulsada | -500 | miliampère |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 500 | mW |
| RθJA | Resistência térmica da junção a ambiental | 250 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junção | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC=-100ΜA, ISTO É =0 | -310 | V | ||
| tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=-1mA, IB=0 | -305 | V | ||
| tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
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Corrente de interrupção de coletor |
ICBO | VCB=-200V, ISTO É =0 | -0,25 | µA | ||
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ICEO |
VCE=-200V, IB=0 | -0,25 | µA | |||
| VCE=-300V, IB=0 | -5 | µA | ||||
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB=-5V, IC=0 | -0,1 | µA | ||
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Ganho atual de C.C. |
hFE (1) | VCE=-10V, IC=-1mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE=-10V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE=-10V, IC=-80mA | 60 | ||||
| tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC=-20mA, IB=-2mA | -0,2 | V | ||
| Tensão de saturação do emissor de base | VBE (sentado) | MimC=-20mA, IB=-2mA | -0,9 | V | ||
| Frequência da transição | fT | VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz | 50 | Megahertz |
Características típicas
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 1,400 | 1,600 | 0,055 | 0,063 |
| b | 0,320 | 0,520 | 0,013 | 0,020 |
| b1 | 0,400 | 0,580 | 0,016 | 0,023 |
| c | 0,350 | 0,440 | 0,014 | 0,017 |
| D | 4,400 | 4,600 | 0,173 | 0,181 |
| D1 | 1,550 REFERÊNCIA. | 0,061 REFERÊNCIAS. | ||
| E | 2,300 | 2,600 | 0,091 | 0,102 |
| E1 | 3,940 | 4,250 | 0,155 | 0,167 |
| e | 1,500 TIPO. | 0,060 TIPOS. | ||
| e1 | 3,000 TIPO. | 0,118 TIPOS. | ||
| L | 0,900 | 1,200 | 0,035 | 0,047 |
Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada
Fita e carretel de SOT-89-3L
Pessoa de Contato: David
