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Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères

Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères
Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères

Imagem Grande :  Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: 2SD965A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères

descrição
Tensão da Coletor-Base: 40V Corrente de coletor - contínua: 5A
Tstg: -55~+150℃ Materiais: silício
Corrente de coletor: 600 miliampères A temperatura de armazenamento: -55~+150℃
Realçar:

transistor de alta frequência

,

transistor do interruptor de alimentação

SOT-89-3L Plástico-encapsulam os transistor 2SD965A 2SD965A

 

 

CARACTERÍSTICA
  • Amplificador audio
  • Unidade instantânea de câmera
  • Circuito do interruptor

 

Marcação: D965A

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

SímboloParâmetroValorUnidade
VCBOTensão da Coletor-base-60V
VCEOTensão do Coletor-emissor-60V
VEBOTensão da Emissor-base-4V
ICCorrente de coletor-500miliampère
PCDissipação de poder do coletor225mW
RΘJAResistência térmica da junção a ambiental556℃/W
TjTemperatura de junção150
TstgTemperatura de armazenamento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

ParâmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tensão de divisão da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=0.1mA, ISTO É =040  V
tensão de divisão do Coletor-emissor(BR) CEO VMimC= 1mA. MIMB=030  V
tensão de divisão da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É = 10μA, IC=07  V
Corrente de interrupção de coletorICBOVCB= 10V, ISTO É =0  0,1μA
Corrente da interrupção do emissorIEBOVEB=7V, IC=0  0,1μA

 
 

Ganho atual de C.C.

hFE (1)VCE= 2 V, IC=1mA 200  
 hFE (2)VCE= 2V, IC = 500mA230 800 
 hFE (3)VCE= 2V, IC =2A150   
tensão de saturação do Coletor-emissorVCE (sentado)MIMC=3A, IB=0.1A  1V
Frequência da transiçãofTVCE=6V, IC=50mA 150 Megahertz
Para fora capacidadeEspigaVCB=20 V, ISTO É =0, f=1MHZ  50PF

 
 
 
 

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

 

 

GrauQRS
Escala230-380340-600560-800

 
 
 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERÊNCIAS0,022 REFERÊNCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
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Fita e carretel de SOT-89-3L
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Contacto
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