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Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN

Certificado
de boa qualidade Transistor de poder da ponta para vendas
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Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN

China Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN fornecedor
Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN fornecedor Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN fornecedor

Imagem Grande :  Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone de MMBTA55 NPN

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: MMBTA55

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia
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Descrição de produto detalhada
Temperatura de junção: ℃ 150 Tipo: Transistor do Triode
Aplicação: a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor Materiais: silício
Corrente de coletor: 600 miliampères A temperatura de armazenamento: -55~+150℃

SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBTA55 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

l transistor de motorista

 

Marcação: 2H

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -60 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -60 V
VEBO Tensão da Emissor-base -4 V
IC Corrente de coletor -500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 225 mW
RΘJA Resistência térmica da junção a ambiental 556 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -60     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -60     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-60V, IE=0     -0,1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-60V, IB=0     -0,1 µA
Ganho atual de C.C. hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Tensão do emissor de base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Frequência da transição fT VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Megahertz

 
 
 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERÊNCIAS 0,022 REFERÊNCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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