|
Detalhes do produto:
|
| Matéria: | Baixo escapamento | Transistor do Mosfet do poder: | SOT-23 Plástico-encapsulam transistor |
|---|---|---|---|
| Identificação do produto: | MMBT4403 | Tipo: | INTERRUPTOR DIODESOD |
| Realçar: | transistor de alta frequência,transistor do mosfet do poder |
||
SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBT4403 (NPN)
Transistor de interruptor
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | -40 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | -40 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | -5 | V |
| IC | Corrente de coletor | -600 | miliampère |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 300 | mW |
| RΘJA | Resistência térmica da junção a ambiental | 417 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de junção | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | MimC=-100μA, ISTO É =0 | -40 | V | ||
| tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC=-1mA, IB=0 | -40 | V | ||
| tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB=-35V, ISTO É =0 | -0,1 | μA | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICEX | VCE=-35V, VBE=0.4V | -0,1 | μA | ||
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0,1 | μA | ||
|
Ganho atual de C.C. |
hFE1 | VCE=-1V, IC=-0.1mA | 30 | |||
| hFE2 | VCE=-1V, IC=-1mA | 60 | ||||
| hFE3 | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | ||||
| hFE4 | VCE=-2V, IC=-150mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | VCE=-2V, IC=-500mA | 20 | ||||
|
tensão de saturação do Coletor-emissor |
VCE (sentado) |
MimC=-150mA, IB=-15mA | -0,4 | V | ||
| MimC=-500mA, IB=-50mA | -0,75 | V | ||||
|
Tensão de saturação do emissor de base |
VBE (sentado) |
MimC=-150mA, IB=-15mA | -0,95 | V | ||
| MimC=-500mA, IB=-50mA | -1,3 | V | ||||
| Frequência da transição | fT | VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz | 200 | Megahertz | ||
| Tempo de atraso | td |
VCC=-30V, VBE (fora) =-0.5V IC=-150mA, IB1=-15mA |
15 | ns | ||
| Tempo de elevação | tr | 20 | ns | |||
| Tempo de armazenamento | ts |
VCC=-30V, IC=-150mA IB1=IB2=-15mA |
225 | ns | ||
| Tempo de queda | tf | 60 | ns |
Characterisitics típico
Dimensões do esboço do pacote
| Símbolo | Dimensões nos milímetros | Dimensões nas polegadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERÊNCIAS | 0,022 REFERÊNCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Pessoa de Contato: David
