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Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591

Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591
Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591

Imagem Grande :  Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: FMMT591
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591

descrição
Tensão da Coletor-base de VCBO: -80 V Nome do produto: Triode do semicondutor
Realçar:

transistor de alta frequência

,

transistor do mosfet do poder

SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor FMMT591 (PNP)
 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa em-resistência equivalente

 

Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591 0

Marcação: 591

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

SímboloParâmetroValorUnidade
VCBOTensão da Coletor-base-80V
VCEOTensão do Coletor-emissor-60V
VEBOTensão da Emissor-base-5V
ICCorrente de coletor-1A
ICMCorrente máxima do pulso-2A
PCDissipação de poder do coletor250mW
RΘJAResistência térmica da junção a ambiental500℃/W
TjTemperatura de junção150
TstgTemperatura de armazenamento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

ParâmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tensão de divisão da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=-100μA, ISTO É =0-80  V
tensão de divisão do Coletor-emissor(BR) CEO V1MimC=-10mA, IB=0-60  V
tensão de divisão da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É =-100ΜA, IC=0-5  V
Corrente de interrupção de coletorICBOVCB=-60V, ISTO É =0  -0,1μA
Corrente da interrupção do emissorIEBOVEB=-4V, IC=0  -0,1μA

 
 
 

Ganho atual de C.C.

hFE (1)VCE=-5V, IC=-1mA100   
 hFE (2) 1VCE=-5V, IC=-500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=-5V, IC=-1A80   
 hFE (4) 1VCE=-5V, IC=-2A15   

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 1MimC=-500mA, IB=-50mA  -0,3V
 VCE (sentado) 2 1MimC=-1A, IB=-100mA  -0,6V
Tensão de saturação do emissor de baseVBE (sentado) 1MimC=-1A, IB=-100mA  -1,2V
Tensão do emissor de base

1

VBE

VCE=-5V, IC=-1A  -1V
Frequência da transiçãofTVCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz150  Megahertz
Capacidade de saída do coletorEspigaVCB=-10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Medido sob circunstâncias pulsadas, pulso width=300μs, dever cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics típico 
 
 Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591 1

Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591 2

Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591 3Transistor encapsulados plástico do transistor de poder SOT-23 do silicone FMMT591 4


 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERÊNCIAS0,022 REFERÊNCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
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