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Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência

Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência

Imagem Grande :  Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: TIP110
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Equivalente de alta tensão do transistor de poder de TIP110 NPN baixo na resistência

descrição
Matéria: Uso Industrial Identificação do produto: TIP110
tensão da Emissor-base: 5V Corrente de coletor - contínua: 2A
Realçar:

triode dos componentes eletrônicos

,

interruptor do semicondutor

TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor TIP110 DARLINGTON (NPN)

 

 

 

CARACTERÍSTICA
 
  • Ganho atual alto de C.C.: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mínimo)
  • Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
  • Uso industrial

 

AVALIAÇÕES de AXIMUM (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)
 
Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 60 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 60 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 2 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 a +150

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=10mA, ISTO É =0 60     V
tensão de sustentação do Coletor-emissor VCEO (sus) MimC=30mA, IB=0 60     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =10MA, IC=0 5     V
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=30V, IB=0     2 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=60V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     2 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000      
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=2A, IB=8mA     2,5 V
Tensão do emissor de base VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
Capacidade de saída do coletor Espiga VCB=10V, ISTO É =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote de TO-220-3L

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor TIP42/42A/42B/42C (PNP)

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Pessoa de Contato: David

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