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Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127

Certificado
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Certificações
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Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127
Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127

Imagem Grande :  Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Shenzhen China
Marca: Hua Xuan Yang
Certificação: RoHS、SGS
Número do modelo: TIP127
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1000-2000 PCes
Preço: Negotiated
Detalhes da embalagem: Encaixotado
Tempo de entrega: 1 - 2 semanas
Termos de pagamento: L/C T/T Western Union
Habilidade da fonte: 18,000,000PCS/pelo dia

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127

descrição
Tipo: Triode do semicondutor Transistor do Mosfet do poder: Plástico TO-126 encapsulado
Identificação do produto: TIP122 TIP127 Matéria: Ganho atual alto de C.C.
Dissipação de poder do coletor: 1.25W Temperatura de junção: 150℃
Realçar:

triode dos componentes eletrônicos

,

interruptor do semicondutor

TO-126 Plástico-encapsulam transistor

 

 

 

Transistor de TIP122 Darlington (NPN)

Transistor de TIP127 Darlington (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA
 
Transistor complementares do silicone do poder médio
 
 
TO-126
 

1. EMISSOR

 

 2. COLETOR

 

3. BASE

 

 

 

MARCAÇÃO

 

 

TIP122, código de TIP127=Device

 

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code

 

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 0

 

 

 

Circuito equivalente

 

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 1

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
TIP122 TO-126 Volume 200pcs/Bag
TIP127 TO-126 Volume 200pcs/Bag
TIP122-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube
TIP127-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro TIP122 TIP127 Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 100 -100 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 100 -100 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 -5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 5 -5 A
PC * Dissipação de poder do coletor 1,25 W
RθJA Junção da resistência térmica a ambiental 100 ℃/W
RθJc Junção de resistência térmica ao caso 8,33 ℃/W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

 

TIP122 NPN
Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=1mA, ISTO É =0 100   V
tensão de divisão do Coletor-emissor VCEO (SUS) MimC=30mA, IB=0 100   V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=100V, ISTO É =0   0,2 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=50 V, MIMB=0   0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5 V, MIMC=0   2 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE= 3V, IC=0.5A 1000    
hFE (2) VCE= 3V, IC=3 A 1000 12000  

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

 

VCE (sentado)

MimC=3A, IB=12mA   2

 

V

MIMC=5 A, IB=20mA   4
Tensão do emissor de base VBE VCE=3V, IC=3 A   2,5 V
Capacidade de saída Espiga VCB=10V, ISTO É =0, f=0.1MHz   200 PF

 

 

TIP127 PNP
Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=-1mA, ISTO É =0 -100   V
tensão de divisão do Coletor-emissor VCEO (SUS) MimC=-30mA, IB=0 -100   V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-100V, ISTO É =0   -0,2 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-50 V, MIMB=0   -0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-5 V, MIMC=0   -2 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=-3V, IC=-0.5A 1000    
hFE (2) VCE=-3V, IC=-3A 1000 12000  

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

 

VCE (sentado)

MimC=-3A, IB=-12mA   -2

 

V

MIMC=-5 A, IB=-20mA   -4
Tensão do emissor de base VBE VCE=-3V, IC=-3 A   -2,5 V
Capacidade de saída Espiga VCB=-10V, ISTO É =0, f=0.1MHz   300 PF

* este teste é executado sem o dissipador de calor em Ta=25℃.

 

 

Características típicasTransistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 2

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 3

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 4

Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 5

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Transistor encapsulados plástico do Triode TO-126 do semicondutor de TIP122 TIP127 7

 


Dimensões do esboço do pacote TO-126

 

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

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