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Detalhes do produto:
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| Number modelo:: | AP4434AGYT-HF | Tipo:: | LÓGICA ICS |
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| Marca:: | Tipo original | Pacote:: | DIP/SMD |
| Circunstância:: | 100% novo AP4434AGYT-HF | Meios disponíveis:: | folha de dados |
| Realçar: | transistor de interruptor do diodo de 3.13W IGBT,transistor de interruptor do diodo de 40A IGBT,MOSFET IGBT DE AP4434AGYT-HF |
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AP4434AGYT-HF PMPAK (interruptor original de YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC se lasca
Descrição
As séries de AP4434A são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir a mais baixa em-resistência possível e o desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
O pacote de PMPAK® 3x3 é especial para a aplicação da conversão da tensão usando a técnica infravermelha padrão do reflow com o dissipador de calor da parte traseira para conseguir o bom desempenho térmico.
Avaliações máximas absolutas
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Corrente contínua3do dreno, VGS @ 4.5V | 10,8 | |
| ID@TA =70℃ | Corrente contínua3do dreno, VGS @ 4.5V | 8,6 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total3 | 3,13 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
dados hermal
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-c | Resistência térmica máxima, Junção-caso | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =10V, IDENTIFICAÇÃO =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total da porta |
IDENTIFICAÇÃO =7A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 12,5 | 20 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 1,5 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 4,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 10 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 10 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 24 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 8 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 800 | 1280 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 165 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 145 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa |
É =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 10 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada do cobre2 2oz FR4 da placa, t<> 10sec; 210oC/W quando montado na almofada de cobre mínima.
Pessoa de Contato: David
